通過對復(fù)合材料的介電性能研究，如圖2.13 <a)所示，隨著填料的增加介電常數(shù)逐漸升高，而且與未包覆單寧酸的復(fù)合材料相比，當(dāng)填料體積分?jǐn)?shù)超過7.5時，介電常數(shù)不會出現(xiàn)下降情況，而會越來越高，這充分說明了單寧酸使填料的分散性和相容性更好，從而不會由于填料升高出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象而導(dǎo)致介電常數(shù)出現(xiàn)下降的情況。在介電損耗方便，與之前未包覆單寧酸的復(fù)合材料相比也有很大下降，如體積分?jǐn)?shù)為2.5%和5%的TA@CCTO NW/P(VDF-HFP)復(fù)合材料在低頻范圍下其介電損耗低于純P(VDF-HFP)，這比之前未包覆單寧酸的復(fù)合材料介電性能有了很大提升。從而我們得出用單寧酸有機小分子對無機填料進(jìn)行包覆后制備出的復(fù)合材料可以使填料有著更好的相容性，從而使復(fù)合材料的介電性能得到很大提升。

    單寧酸有著和多巴胺相似的分子特性，如圖2.13所示，我們將PDA@CCToNW/P(VDF-HFP)復(fù)合材料的介電性能TA@CCTO NW/P(VDF-HFP)復(fù)合材料進(jìn)行對比。通過比較2.13 <a)與2.13 <b)兩幅圖，可以得出包覆單寧酸的復(fù)合材料

有著比包覆多巴胺復(fù)合材料更加高的介電常數(shù)，不過通過比較2.13<c)與2.13<d)兩幅圖，可以得出包覆多巴胺的復(fù)合材料有著更加低的介電損耗，且效果很好。兩者在介電性能上各有優(yōu)勢，主要原因可能由于二者在包覆厚度上的區(qū)別，單寧

酸在包覆厚度上較薄，在Snm左右，多巴胺的包覆厚度較厚，在1 Onm左右，包覆薄可以讓填料表現(xiàn)出更多的介電性能，從而介電常數(shù)較高，而多巴胺的厚度是填料的分散性更好，而且填料與聚合物基體之間的界面也不會出現(xiàn)電荷的聚集，

而產(chǎn)生漏電電流，進(jìn)而提高介電損耗。

    可以看出有機小分子對CCTO納米線的表面改性使得其擁有更好的介電性能，尤其在介電損耗方面，經(jīng)過改性的CCTO納米線均可以大幅降低介電損耗。

關(guān)鍵詞：介電常數(shù)測定，介損測試，復(fù)合材料